(1) 4” SiO2 Wafers
厚度: 525um+/-25um
型号: P; Boron
晶向: <100>
电阻率: <0.005ohm.cm
表面:单面抛光
参考面: One side flat, 285nm dry thermal oxide without anneal
数量: 200片。
(2)4” SiO2 Wafers
级别: Prime
厚度: 525um+/-25um
型号: P; Boron doped
晶向: <111>
电阻率: <0.005ohm.cm
参考面: One single flat
表面: Single side polished, 285nm +/-5% dry thermal oxide on both sides
数量: 25片
(3) Si材料要求
1:
直径: 50.8 ± 0.3 mm;
级别: Prime;
Growth: CZ;
晶向: <111> ± 0.5Deg;
厚度: 279 ± 15 um;
型号: P/B;
电阻率: <0.02 ohm-cm;
表面: 单抛
TTV ≤ 10 um;
Bow/Warp≤ 30 um;
参考面: 2 SEMI Std ;
数量:50
-----------------------
:2:
直径: 50.8 ± 0.3 mm;
级别: Prime;
Growth: FZ;
晶向: <100> ± 0.5Deg;
厚度: 279 ± 15 um;
无掺杂
电阻率: >1000 ohm-cm;
表面:单抛
TTV ≤ 10 um;
Bow/Warp≤ 30 um;
参考面: 2 SEMI Std ;
数量:50
-----------------------
3:
直径: 50.8 ± 0.3 mm;
级别: Prime;
Growth: FZ;
晶向: <100> ± 0.5Deg;
厚度: 279 ± 15 um;
无掺杂;
电阻率: >1000 ohm-cm;
表面: 双面抛光;
TTV ≤ 10 um;
Bow/Warp≤ 30 um;
Flat: 2 SEMI Std ;
数量:25
-----------------------
4:
:;
直径: 50.8 ± 0.3 mm;
级别: Prime;
Growth: CZ;
晶向: <111> ± 0.5Deg;
厚度: 279 ± 15 um;
型号: N/As;
电阻率: <0.005 ohm-cm;
表面: Single Side Polished;
TTV ≤ 10 um;
Bow/Warp≤ 30 um;
Flat: 2 SEMI Std ;
数量: 50
各种要求材料,有的话随时联系我:QQ841270314或是电话13650428898