求购等离子刻蚀机，光刻系统，镀膜仪，电子束镀膜设备，电子束光刻机

包号

品目号

设备名称

简要技术参数

数量

分包预算金额（人民币元）

1

1-1

等离子耦合干法刻蚀机

用于2-6英寸Si材料刻蚀

1

6,251,000

1-2

等离子增强化学气相沉积

用于2-6英寸基底上SiN，SiO ₂

1

1-3

等离子体干法刻蚀机

用于2-6英寸SiO ₂ ，SiNx材料刻蚀

1

2

2-1

高密度等离子刻蚀机

片内均匀度£ ±5%

1

4,500,000

3

3-1

紫外光刻系统

曝光波长范围：350-450nm

1

2,245,000

4

4-1

半导体大视野高分辨二维观察系统

电子束成像模式下最大视野范围不小于60mm

1

13,651,000

4-2

半导体微纳米器件制备系统工作站

离子枪最大视野范围：580 x 580 μm

1

5

5-1

离子刻蚀镀膜仪

具备平面大面积离子抛光、横截面离子抛光及高精度离子束镀膜

1

1,152,000

6

6-1

电子束蒸发镀膜设备

用6英寸基片（去除边缘5mm）镀膜均匀性优于+/-5%

1

1,900,000

7

7-1

电子束光刻机

扫描频率≥120MHz

1

30,240,000

8

8-1

纳米测量显微镜

包含激光共聚焦扫描功能及原子力扫描功能

1

1,880,000