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4001027270
1. InP 单晶参数
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品种
|
直径
（英寸）
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类型
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浓度
（cm-3）
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迁移率
(cm2/V.s)
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电阻率
(W.cm)
|
位错密度
(cm-2)
|
|
非掺 InP
|
2
|
N
|
(0.8-2)´1016
|
(3.5- 4) ´103
|
(5-6)´104
|
|
|
S-InP
|
2
|
N
|
(0.8-3)´1018
(4-8)´1018
|
(2.0-2.4) ´103
(1.0-1.6) ´103
|
< 3´104
<5´102(60%面积)
|
|
|
3
|
N
|
(0.8-3)´1018
(4-6)´1018
|
(2.0-2.4) ´103
(1.3-1.6) ´103
|
< 5´104
< 1´103(60%面积)
|
||
|
Zn-InP
|
2/3
|
P
|
(0.6-2) ´1018
(3-6)´1018
|
70-90
50-70
|
< 5´104
<5´102(60%面积)
|
|
|
Fe-InP
|
2
|
N
|
107-108
|
³2000
|
107-108
|
< 3´104
|
|
3
|
N
|
107-108
|
³2000
|
107-108
|
< 6´104
|
|
|
多晶
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50-70
|
N
|
(0.6-5)´1016
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晶片单面抛光或双面抛光，开盒即用。晶向（100）, (111)。 标准厚度: 2英寸片， 350±25mm；3英寸片600±25mm， 可加工其它特殊参数要求晶片。
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