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MORSENSEMI 3英寸InP单晶片主要参数指标
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掺杂
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导电类型
|
载流子浓度(cm-3)
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迁移率(cm2V-1s-1)
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电阻(Ω.cm)
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位错(cm-2)
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非掺
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N-型
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≤3×1016
|
(3.5-4)×103
|
≤1000
|
||||
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掺S
|
N-型
|
(0.8-6)×1018
|
(1.5-3.5)×103
|
≤5000/≤500
|
||||
|
掺Zn
|
P-型
|
(0.6-6)×1018
|
50-70
|
≤5000
|
||||
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掺Fe
|
SI
|
>2000
|
>1×107
|
≤5000
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加工技术参数
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规格
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2英寸
|
3英寸
|
4英寸
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直径(mm)
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50.8±0.5
|
76.2±0.5
|
100.0±0.5
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|
厚度(μm)
|
350±25
|
600±25
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625±25
|
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晶向
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(100)/(111)±0.5°
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主定位边长(mm)
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16±2
|
22±2
|
32.5±2
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副定位边长(mm)
|
8±1
|
11±1
|
18±1
|
|||||
|
平整度TTV(μm)
|
<10
|
<10
|
<15
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|||||
|
弯曲度Bow(μm)
|
<10
|
<10
|
<15
|
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|
翘曲度Warp(μm)
|
<15
|
<15
|
<15
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|
其他产品参数可按照客户要求定制
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