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Veeco 的 Propel™ Power GaN MOCVD 系统专为电力电子器件行业而设计。该系统采用单晶片反应腔平台,能够处理六至八英寸晶片,可沉积高品质的 GaN 薄膜,生产高效率的电力电子器件。这种单晶片反应腔基于 Veeco 的领先 TurboDisc® 设计并采用突破性的技术,其中包括新的 IsoFlange™ 以及可在整个承载盘中提供均匀的层流和统一温度曲线的 TruHeat™ 晶片线圈。客户可以很轻松地从 Veeco K465i™ 和 MaxBright™ 系统切换到 Propel Power GaN MOCVD 平台。
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