厚度: 525um+/-25um
型号: P; Boron 
晶向: <100>
电阻率: <0.005ohm.cm
表面：单面抛光
参考面: One side flat, 285nm dry thermal oxide without anneal
数量: 200片。

（2）4” SiO2 Wafers

级别: Prime

厚度: 525um+/-25um

型号: P; Boron doped

晶向: <111>

电阻率: <0.005ohm.cm

参考面: One single flat

表面: Single side polished, 285nm +/-5%  dry thermal oxide on both sides

数量: 25片
（3） Si材料要求
1：

直径: 50.8 ± 0.3 mm; 
级别: Prime; 
Growth: CZ; 
晶向: <111> ± 0.5Deg; 
厚度: 279 ± 15 um; 
型号: P/B; 
电阻率: <0.02 ohm-cm; 
表面: 单抛
TTV ≤ 10 um; 
Bow/Warp≤ 30 um; 
参考面: 2 SEMI Std ;
数量：50

-----------------------
:2：

直径: 50.8 ± 0.3 mm; 
级别: Prime; 
Growth: FZ; 
晶向: <100> ± 0.5Deg; 
厚度: 279 ± 15 um; 
无掺杂
电阻率: >1000 ohm-cm; 
表面：单抛
TTV ≤ 10 um; 
Bow/Warp≤ 30 um; 
参考面: 2 SEMI Std ;
数量：50

-----------------------
3：
直径: 50.8 ± 0.3 mm; 
级别: Prime; 
Growth: FZ; 
晶向: <100> ± 0.5Deg; 
厚度: 279 ± 15 um; 
无掺杂; 
电阻率: >1000 ohm-cm; 
表面: 双面抛光; 
TTV ≤ 10 um; 
Bow/Warp≤ 30 um; 
Flat: 2 SEMI Std ;
数量：25

-----------------------
4：
:; 
直径: 50.8 ± 0.3 mm; 
级别: Prime; 
Growth: CZ; 
晶向: <111> ± 0.5Deg; 
厚度: 279 ± 15 um; 
型号: N/As; 
电阻率: <0.005 ohm-cm; 
表面: Single Side Polished; 
TTV ≤ 10 um; 
Bow/Warp≤ 30 um; 
Flat: 2 SEMI Std ;

数量: 50