技术参数
衬底尺寸和类型

50 – 200 mm /单片
最大可沉积直径150 mm基片，竖直放置，10-25片/批次（根据工艺）
156 mm x 156 mm 太阳能硅片
3D 复杂表面衬底
粉末与颗粒
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品
工艺温度

50 – 500 °C, 可选更高温度
基片传送选件

气动升降（手动装载）
预真空室安装磁力操作机械手（Load lock ）
前驱体

液态、固态、气态、臭氧源
4根独立源管线，最多加载6个前驱体源
重量

350 kg
尺寸 (W x H x D)

取决于选件
最小146 cm x 146 cm x 84 cm
最大189 cm x 206 cm x 111 cm
选件

PICOFLOW™扩散增强器，集成椭偏仪，QCM， RGA，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集成（用于惰性气体下装载）。
验收标准

标准设备验收标准为 Al2O3 工艺