快速热处理设备（RTP）可用于砷化镓、硅以及其他半导体材料，离子注入后的退火、硅化物的形成、欧姆接触制备以及快速氧化、快速氮化等方面。RTP系列快速合金设备具有快速升降温、慢速升降温、和长工作时间稳定等特点。也可用于各种半导体材料的CVD工艺的热处理。
主要技术指标
l　　　 整机尺寸：550×650×650mm（长×宽×高）
l　　　 炉体尺寸：327×249×123mm（长×宽×高）
l　　　 工作室采用进口GE石英，外径尺寸：290×230×24mm（长×宽×高）；表面进行磨砂处理
l　　　 不锈钢反应室上下反射面聚焦设计，内表面采用镀金处理，减小热损失，极大提高了反射效率
l　　　 水冷却，确保灯箱散热与快速降温
l　　　 风扇冷却保证加热灯的冷却
l　　　 最大温度范围150℃—1000℃，K型热电偶
l　　　 升温速率：0.01—100℃/s可预设定
l　　　 气体：两路美国进口浮子流量计控制，流量：0—5L/min
l　　　 采用欧陆2604高精度温控仪控制温度
l　　　 可编程多条温度曲线
l　　　 双闭环控制温度，稳态温度稳定性±1℃
l　　　 光源：1200W×21只卤钨灯
l　　　 电源：AC380V；63A三相
l　　　 有效加热区：180×180mm
l　　　 石英承片架Ф160mm；配6英寸硅片承片板
l　　　 提供备件：卤素灯5只，门密封圈2个