牛津仪器专业为中国企业、科研单位打造等离子刻蚀设备,可实现碳化硅深孔刻蚀工艺,深度达到100um以上
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PlasmaPro100 Polaris
1.深孔碳化硅刻蚀工艺的关键因素
2.深孔碳化硅刻蚀工艺的关键技术开发与成果
3.达成深孔碳化硅刻蚀:设备需具有的关键条件
4.Polaris具体设计的特点
5.可操作在低功率低偏压之起辉模式
6.单晶片夹具解决方案
7.Hardware Components-最在化抽气链结
8.从硬件设计与工艺角度,总结Polaris的优异性能








