高密度等离子体刻蚀机
ICP (Inductively Coupled Plasma Etching)
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等离子刻蚀设备 深硅刻蚀ICP PlasmaPro Estrelas100

牛津仪器专为深硅刻蚀工艺打造的专用设备,可满足直径
75mm-200mm晶圆尺寸需求

精湛的精密刻蚀工艺 ,超过百家企业,科研单位,选择我们量身定制设备,欢迎来电咨询:010-57168280 赵小姐

深硅刻蚀ICP PlasmaPro Estrelas100的工艺
深硅蚀刻技术为工业提供了领先的工艺,保持与研发市场协调发展,该系统的灵活性达到最大限度。微纳米结构作为硬件技术与Bosch™,还有低温蚀刻技术可在同一腔体内运行。从光滑侧壁刻蚀到高速率的刻蚀工艺,PlasmaPro Estrelas100的设计保证了MEMS的应用泛围广,无需改变腔内硬件。











牛津仪器将继续提供适合现有的和新兴的MEMS市场的技术。结合清晰的程序和应用,我们的技术对今天和将来都具有影响,在MEMS的研发方面,我们拥有超过20年的经验,更了解广大客户的需求,提供最具创新的设备


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