1、 设备用途：本设备采用等离子体增强在化学气相沉积工艺，在光学玻璃等沉底材料上沉积半导体薄膜材料，制备非晶硅和微晶硅半导体薄膜器件，可用于氧化硅、氮化硅、碳化硅及类金刚石碳的沉积。广泛应用于大专院校、科研院所的薄膜材料的科研与小批量制备。
2.技术数据：
| 样品最大尺寸 | Dn150mm | 样片加热台加热温度 | 室温-800℃ |
| 极限真空度（分子泵系统） | 6.7×10-5Pa（冷态） | 压升率 | ≤0.33Pa/H |
| PECVD镀膜电源功率 | 500W-1000W | PECVD镀膜室气路 | 三路 |
| 引出束斑直径 | Φ100mm | 平均束流强度 | 10mA |
| 单电荷离子能量 | 20~100Kev |
2.2离子注入源金属离子注入源：离子种类：金属和导电材料、碳等；
2.3操作方式采用远控进行注入工艺；
2.4防护离子注入室侧面设有铅屏蔽及不锈钢装饰层；采用铅玻璃观察窗；
2.5真空室材质双层水冷，不锈钢
3.技术规格：JPEC/n-xxx N=1/2/3 真空室数量 xxx 沉积室内径