G-31型精密光刻机操作程序的简要说明：

一、主要用途

主要用于中小规模集成电路、半导体元器件、光电子器件、声表面波器件、薄膜电路、电力电子器件的研制和生产。

二、工作方式

本机采用版—版对准双面同时曝光

三、主要构成

主要由高精度特制的翻版机构、双视场CCD显微显示系统、二台多点光源式曝光头、真空管路系统、气路系统、直联式真空泵、防震工作台等组成。

四、主要功能特点

1.适用范围广

适用于φ100mm以下，厚度5mm以下的各种基片的对准曝光。

2.结构先进

该机为双面接触式光刻机，特制的翻版机构，能消除基片楔形误差，保证上、下二块掩膜版对基片上、下两面良好的接触，从而保证基片上、下两面的曝光质量。

3.操作简便

采用手动方式；特制的翻版机构

4.可靠性高

采用进口电磁阀、按钮、定时器；真空管路系统和精密的零件加工，使本机具有非常高的可靠性。

五、主要技术指标

1、曝光类型：单面对准双面曝光

2、曝光面积：≥φ100mm

3、曝光不均匀性：≤±4%

4、曝光强度：≥5mw/cm2

5、曝光分辨率：≤2μm

6、曝光模式：双面同时曝光

7、对准精度：上版与下版的对准精度≤5μm

8、对准范围：X:±5mm Y:±5mm

9、旋转范围：Q向旋转调节≥±5°

10、显微系统：双视场CCD系统，物镜0.7X～4.5X，计算机图像处理系统，19″液晶监视器；

11、掩模版尺寸：3″×3″、4″×4″、5″×5″

12、基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″

13、基片厚度：≤5 mm

14、曝光灯功率：直流2×350W

15、曝光定时：0～999.9秒可调

16、电源：单相AC 220V 50Hz功耗≤1kW

17、洁净压缩空气压力：≥0.4Mpa

18、真空度：-0.07Mpa～-0.09Mpa

19、尺寸：900×700×1500 (L×W×H)mm；

20、重量：～150kg