LPCVD
LPCVD在硅片表面沉积多晶硅、氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃等工艺
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Brand 金立盾
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LPCVD

 

lpcvd.jpg


●  用  途:

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LPCVD主要用于在硅片表面沉积多晶硅、氧化硅、氮化硅、磷硅玻璃等工艺

 

●  特  点:

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较好的热均匀性好,产量大
进口压控系统、进口干泵、进口流量计及进口气路元器件
高可靠性和工艺的重复性,安装便捷,维修方便可靠
工控机全自动控制,软件界面有好直观,安全互锁、历史记录等功能强大
系统具有超温报警、断电断偶保护、气流量超差报警、计算机停机保护等多种安全报警保护功能
工艺成熟稳定,重复性好

可配备废气处理系统

 

●  技术指标:

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硅片尺寸

2--6英寸

工作温度范围

300--1100

恒温区长度

600mm

恒温区温度均匀性

±1(常压闭管)

单点温度稳定性

±1/12h

最大可控升温速度  

15/min

最大降温速度(1100~850 )

5/min

控制方式

工控机

系统极限真空

优于1Pa

真空压升值(稳态)

<0.5pa/min

工作压力范围

20~133Pa闭环控制

气体流量设定精度

±1%F.S

气路系统气密性

1×10-7pa.m3/s

 

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