半导体材料腐蚀清洗机
湿法刻蚀设备—欧莱熙CSE
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湿法刻蚀设备—欧莱熙CSE

设备名称

湿法刻蚀设备

设备形式

室内放置型

设备种类

单片刻蚀、槽式刻蚀

操作方式

手动/自动

每批最大处理量

50

单槽清洗量

50片/2盒

被清洗硅片尺寸

3寸 / 4寸/5寸/6寸/8寸

 

 

最大产量

视客户工艺周期

时间控制

1s

温度控制

0.1摄氏度

转移时间

酸槽到水槽转移时间小于2秒

均匀性

开槽均匀性±5μm

节拍

节拍可调根据实际工艺时间而定

用途

用于硅,二氧化硅,氮化硅,碳化硅等晶圆片或者玻璃片的刻蚀




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