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在理论上CVD SiC材料是超纯细粒度（5N）致密的微观组织，没有空隙或微裂纹，具有ß立方晶体结构。
CVD Bulk（纯固体） SiC,它优于传统的碳化硅形式,以及其他陶瓷,石英,和金属。
CVD Bulk（纯固体） SiC具有如下的各种优越性能：
①优良的耐化学腐蚀(纯ＳｉＣ不会被ＨＣｌ、ＨＮＯ３、Ｈ２ＳＯ４和ＨＦ等酸溶液以及ＮａＯＨ等碱溶液侵蚀)。
②具有热稳定性，抗热震性能，抗疲劳性能，抗氧化性能, 可使用用于温度达1700°C.- 1800°C环境。
⑶高导热系数，但是热膨胀系数却低，具有良好的热和机械性能。
④优越的平整度，保持平坦刚度 (1700°C) ，优良的耐磨性及镜面装饰性，可擦拭至＜3ÅRMS（1000Ω厘米）
⑤低电阻，(体电阻率为0.012），具有高温半导体电性。
⑥高硬度（仅次于钻石）,高刚度,高强度,高弹性模量,高耐磨损性，所以尺寸稳定性好，具最好的刚度/重量比。
目前CVD Bulk（纯固体） SiC产品开始应用在半导体装备体制造业中需要超高温和等离子蚀刻/光刻等恶劣环境中。
该类产品来替代由石墨或金属硅,石英材料制作的现有各种易损另部件
CVD Bulk（纯固体）SiC市场并不是开拓新领域,而是要替代现有硅材料的初级阶段 -由于半导体行业都正在增设大直径（>300mm）晶圆工 厂而市场规模日趋扩大，目前由CVD Bulk(纯固体)SiC来替代原先使用的硅材料的半导体市场规模仍不到5% 。为了适用於半导体器件制造工 程，考核验证产品质量的时间整整花费了3年 以上,现已通过验证并处于扩大应用阶段 由于韩国半导体龙头企业已经负担了开发成本,减少风 险，现在可以直接投入批量生产及应用创造条件=> 现在正是后发企业进入推广应用的最佳机会 。半导体市场规模而言，一旦把石英部件也要 由CVD Bulk（纯固体）SiC材料来替代的话，其市场规模肯定要比替代硅材料的市场大得多呀！
