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Current Position: Home » Consumable » Materials » Other Materials » 其它 »氮化铝（AlN） 衬底片 北京中研环
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    氮化铝（AlN） 衬底片 北京中研环

    Applied to the semiconductor industry：

    Materials-Other Materials-其它

    Product Brand

    中研环

    In stock：

    1000

    Place of origin：

    China-北京市

    Quantity：

    cut back increase

    Price：

    Negotiable
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    Brand：中研环

    Model：

    Own series：Materials-Other Materials-其它

    氮化铝（AlN）
    陶瓷基片
    氮化铝（AlN）
     

    简介：

    用途：AlN具有热导率高、电性能好、热膨胀系数与Si片接近、无毒性的特点，是取代BeO陶瓷的理想材料。主要应用于高密度混合电路、微波功率器件、电力电子器件、光电子部件、半导体致冷等产品中做高性能基片材料和封装材料。

    特点：北京瑞发致远能提供常规AlN和金属化的AlN基片。即在AlN表面镀一层金属层，其附着力在1.5-3.0之间，可焊性好。

    参数：

     

    AlN单晶基片
    密度 3.20-3.26g/cm3
    纯度 >99.99%
    热膨胀系数 4.2-4.5ppm/℃
    介电常数 8.7-9.0
    抛光 单面或双面
    封装 100级超净袋、单片或多片晶元盒

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    Question:
     

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