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Current Position: Home » Consumable » Materials » Wafer-Sub » 碳化硅 »碳化硅(SiC)晶体基片 合肥科晶
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    碳化硅(SiC)晶体基片 合肥科晶

    Applied to the semiconductor industry：

    Materials-Wafer-Sub-碳化硅

    Product Brand

    合肥科晶

    In stock：

    1000

    Place of origin：

    China-安徽省

    Quantity：

    cut back increase

    Price：

    Negotiable
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    Consumer Hotline：00864001027270

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    Brand：合肥科晶

    Model：

    Own series：Materials-Wafer-Sub-碳化硅

    碳化硅(SiC)晶体基片 合肥科晶

    产品名称：

    碳化硅(SiC)晶体基片

    技术参数：

    晶胞结构

     六方

    晶格常数

     a =3.08 Å      c = 15.08 Å

    排列次序

     ABCACB  (6H)

    生长方法

     MOCVD

    方向

     生长轴或偏(0001) 3.5°

    抛光

     Si面抛光

    带隙

     2.93 eV (间接)

    导电类型

     N

    电阻率

     0.076 ohm-cm

    介电常数

     e(11) = e(22) = 9.66     e(33) = 10.33

    热导率@300K

     5 W / cm . K

    硬度

     9.2 Mohs

     

    产品规格：

    掺杂类型：6H N型 <0001> 表示专门掺N的，掺杂浓度是10E18-10E19；4H N型；半绝缘；
    常规尺寸：dia2"x0.33mm,  dia3"x0.35mm， 10x10mm,10x5mm；

    抛光情况：单抛或双抛；

    表面粗糙度：Ra<10A

    常规晶向 ：<0001>现可供应<10-10>和<11-20>,10x10x0.3mm，单抛 一种低电阻率（0.01~0.1 ohm.cm)，一种是高电阻率（>10^5 ohm.cm)

     

    标准包装：

    1000级超净室100级超净袋包装或单片盒、插盒装


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