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    Plasma Source等离子体源

    Applied to the semiconductor industry:

    Materials-Gas-离子注入气

    In stock:

    100

    Place of origin:

    National

    Quantity:

    cut back increase

    Price:

    Negotiable
    Transaction guarantee Secured Transactions Online banking to pay

    Consumer Hotline:00864001027270

    Brand:

    Model:

    Own series:Materials-Gas-离子注入气

    Plasma Source等离子体源

    离子源类型

    特征

    应用

    选项

    Plasma Source等离子体源1:

    NANO-MASTER

    淋浴头等离子体源SH-1000

    • 射频淋浴头等离子体源
    • 气体通过射频板
    • 二级板将其他气体引入等离子体
    • 水冷却
    • 最大600瓦
    • 可在0.02托至8托之间操作
    • 8英寸有效区域
    • ISO 250法兰

     

     

    Plasma Source等离子体源2:

    空心阴极13.56 MHz射频等离子体源

     

    • 支持扩展功率和气压范围操作
    • 高浓度高活性高均匀性等离子体(1011 cm-3
    • 兼容化学反应和非化学反应气体
    • 等幅波和脉冲电源
    • 低污染
    • 等离子增强化学气相沉积
    • 等离子聚合
    • 等离子清洁
    • 等离子刻蚀
    • 表面改性
    • 600mm线性等离子源
    • 900mm线性等离子源

    Plasma Source等离子体源3:

    SLAN(SLot ANtenna)2.45 GHz微波等离子体源

     

    • 高浓度等离子体
    • 压力范围在10-5毫巴到大气压
    • 兼容化学反应和非化学反应气体
    • 低污染
    • 电子回旋共振(ECR)或非电子回旋共振(non-ECR)操作
    • 等幅波和脉冲电源
    • 等离子增强化学气相沉积
    • 等离子聚合
    • 等离子清洁
    • 等离子刻蚀
    • 表面改性
    • 材料科学
    • 直径4厘米
    • 直径16厘米
    • 直径67厘米

    Plasma Source等离子体源4:

    电感耦合等离子体源ICP-P 200(13.56MHz)

     

    • 200毫米直径的平面线圈
    • 扩展功率范围在3-1200瓦
    • 低能量扩散
    • 高浓度高活性等离子体
    • 低污染
    • 等幅波和脉冲电源
    • 等离子增强化学气相沉积
    • 等离子聚合
    • 等离子清洁
    • 等离子刻蚀
    • 表面改性

     

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