本设备是由加热器以及炉内部件采用立式的方法配置,是用于在石英管内的扩散、氧化、CVD、热处理的设备。组成部分:主要是由加热系统、电气控制系统、自动装片机构等组成。
常压扩散
主要参数:
规格
生成膜: 氧化膜(Dry氧化)
处理数(片/批量): Product wafer:150片
Dummy wafer: 15片
Monitor wafer: 5片
膜厚(埃): 1000
生成周期(批量): 3
膜厚均匀性:片内±3%;片间±3%;批间±3%
※注:以上数据为清洗后的参数
样式
片间距: 5.2mm
温区数量: 4段温区
炉膛有效使用内径:φ335 mm
使用温度: 600-1250℃
MFC数量: 6路(最大12路)
气阀控制: 24V电磁阀最大配置24路
自动装片机构部分主要参数:
载片机:一次传送5片
可变吸盘移动范围: 5.2-13mm
载片转台(2段式): 最大8盒
外形尺寸及重量
外形尺寸: 1000mm*1940mm*3200mm(长*宽*高)
重量: 1500Kg
设备功率
加热部分50KVA,控制部分5KVA
冷却水
给水参数:水压0.35MPa,流量10L/min
排水参数:水压≤0.5MPa,
水质:PH 7-8软水,电阻率10KΩ-cm以上,水温23±3℃
※ 请用精度大于70μm的除尘网。
低压扩散
主要参数:
规格
生成膜: Poly,Si3N4,TEOS
处理数(片/批量): Product wafer:150片
Dummy wafer: 15片
Monitor wafer:5片
膜厚(埃): 1000
生成周期(批量): 3
膜厚均匀性:片内≤±3%;片间≤±3%;批间≤±3%
※注:以上数据为清洗后参数。
样式
片间距:5.2mm
工作温度范围:450-850℃(炉内温度)
温区数量:4段温区
加热器长度:1350mm
加热器有效口径:Φ335mm
工作压力范围:30-133pa
系统极限真空度:0.8pa
MFC数量:6路(最大12路)
Interlock port:24路(最大36路)
自动装片机构部分主要参数:
载片机: 一次传送5片
可变吸盘移动范围: 5.2-13mm
载片转台(2段式): 最大8盒
外形尺寸及重量
外形尺寸: 1000mm*1940mm*3200mm(长*宽*高)
重量:1500Kg
设备功率
加热部分50KVA,控制部分5KVA,泵12 KVA
冷却水
给水参数:水压0.35MPa,流量10L/min
排水参数:水压≤0.5MPa,
水质:PH 7-8软水,电阻率10KΩ-cm以上,水温23±3℃
※ 请用精度大于70μm的除尘网。