TFE溅射/蒸发系统_磁控溅射机_PVD_Processing Equipment_Equipment

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TFE溅射/蒸发系统

Applied to the semiconductor industry：

Processing Equipment-PVD-磁控溅射机

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请问你这个靶材使用的是哪种类型？靶材的利用率能达到65%吗？

dfft 2017-08-03

Answer

靶材种类：铝、金、银、镍、钛
利用率：40%左右，如果达到您的要求，需要调整

2017-08-04

TECHNICAL SPECIFICATIONS	KS 40V			KS 80V	KS 120V
技术规格
Chamber dimensions, mm
Chamber dimensions, mm	Ø500， h400			Ø1000， h800	Ø1000， h1200
腔体尺寸，mm	500 直径 x 400 高			1000 直径 x 800 高	1000 直径 x 1200 高
Magnetron Cathodes	6 x up to 12” long			6 x up to 22” long	6 x up to 36” long
阴极	6 个至 12 英寸长阴极			6 个最高尺寸 22 英寸阴极	6 个最高尺寸 36 英寸阴极
DC Power Supplies	Up to 5000W			Up to 10kW	Up to 10kW
直流电源	可达 5000W			可达 10kW	可达 10kW
RF Power Supplies	Up to 1500W			Up to 5000W	Up to 5000W
射频电源	可达 1500W			可达 5000W	可达 5000W
Substrate size	Up to 10”			Up to 20”	Up to 34”
基片尺寸
Substrate Heating
Substrate Heating		Standard 350℃-option up to 800℃
基片加热			标准 350℃，选件可达 800℃
				Water or LN
Substrate Cooling				Water or LN
基片冷却				水或液氮
Ultimate Pressure	5 x 10-7 mbar (10-9 mbar range for UHV models)
极限压力	5 x 10-7 mbar (高真空型号范围为 10-9mbar)
Pumping System				Turbomolecular or Cryo
抽真空系统				分子泵或冷泵

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