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冷壁CVD生长设备是常州国成新材料科技有限公司针对现有石英管式炉CVD生长设备功耗大、控制性差、产量低等缺点开发出来的一款新型CVD生长设备。该设备不仅可以用于石墨烯生长，还可六角氮化硼等二维材料薄膜、MBE薄膜及复合薄膜生长。
亮点：
☆背景气压低，杂质气体干扰少。
☆参数控制性好，实验重现性高。
☆可扩展性强，可以定制原位金属电极蒸镀参杂等功能。
☆能耗低。
☆产量高，适用于工业化生产（大型冷壁CVD）。
技术参数：
| 小型冷壁CVD | 中型冷壁CVD | 大型冷壁CVD | |
| 本底真空 | 5 x 10-7 mbar | 5 x 10-7 mbar | 5 x 10-6 mbar |
| 样品尺寸 | 1 cm × 1 cm | 10 cm × 10 cm | 40 cm × 320 cm |
| 外漏率 | <10-12mbar•l•s-1 | <10-12mbar•l•s-1 | <10-10mbar•l•s-1 |
| 内漏率 | <10-11mbar•l•s-1 | <10-11mbar•l•s-1 | <10-10mbar•l•s-1 |
| 温度范围 | 室温~1100℃ | 室温~1100℃ | 室温~1100℃ |
| 样品温度均匀性 | 1000℃时温差在10℃以内 | 1000℃时温差在3℃以内 | 1000℃时温差在20℃以内 |
| 最快降温速度 | 5秒从1000℃降到800℃ | 5秒从1000℃降到800℃ | 240秒从1000℃降到800℃ |
| 温度控制 | 可选PID程序控制 | 可选PID程序控制 | 可选PID程序控制 |
| 进气控制 | 微漏阀或者程序控制 | 微漏阀或者程序控制 | 微漏阀或者程序控制 |
