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单晶硅片
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二极管级3寸单晶片技术参数
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二极管级4寸单晶片技术参数
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| 1. 外形尺寸 1.1 硅片直径 :76.2 土 0.4mm 1.2 弯曲度: ≤0.035mm 1.3 总厚度变化 :≤0.03 mm 1.4 垂直度：片内矩形对角线相等，公差土0.5mm 2. 技术参数 2.1 导电参数 :N 型 2.2 电阻率 :5-6OΩ .cm或按客户要求加工 2.3 少子寿命 : ≥100 μ s 2.4 氧含量 : <1.0 ×1018atoms/cm3 2.5 碳含量 : <5.0 × 1016atoms/cm3 2.6 晶向 : 〈111〉± 1.50 2.7 位错密度 : ≤3000个 /cm2 2.8 厚度:280-305μm |
1. 外形尺寸 |
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太阳能电池用6寸单晶片技术参数
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太阳能电池用8寸单晶片技术参数
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| 1. 外形尺寸 1. 1 硅片直径: 150±0.4mm 1. 2 硅片宽度: 125±0.4mm 1. 3 硅片厚度: 200/190±20μm 1. 4 总厚度变化(TTV): 0.03mm 1. 5 垂直度: 片内矩形对角线相等,公差±0.5mm 1. 6 弯曲度: ≤0.035mm 2. 技术参数 2.1 电阻率: 0.5-3Ω.cm 2.2 导电类型: P型 2.3 少子寿命: ≥10μs 2.4 氧含量: <1×1018atoms/ cm3 2.5 碳含量: <10×1016atoms/ cm3 2.6 晶向: (100)±2.0° 2.7 位错密度:≤ 1×103个/cm2 |
1. 外形尺寸 1. 1 硅片直径: 195/200/205±2.0mm 1. 2 硅片宽度: 156±0.4mm 1. 3 硅片厚度: 200/190±10μm 1. 4 总厚度变化(TTV): ≤40μm 1. 5 垂直度: 90°±3° 1. 6 弯曲度: ≤0.035mm 2. 技术参数 2.1 电阻率: 0.5-3/3-6Ω.cm 2.2 导电类型: P型 2.3 少子寿命: ≥10μs 2.4 氧含量: <1×1018atoms/ cm3 2.5 碳含量: <10×1016atoms/ cm3 2.6 晶向: (100)±2° 2.7 位错密度: ≤1×103个/cm2 |
