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一、BG设备概要:
1. 该研磨机系统是全自动向下进给式研磨机。设备用于半导体材料诸如:硅、陶瓷、石英、碳化硅等硬质材料的高精度研磨。GNX200B兼容加工4”、5”、6”、8”晶圆,不需要更换夹具。
2. 机械手从片盒取片子传送到对中工作区,上料手拾取晶圆传送到工作台,工作台被固定在步进台上旋转120度送到粗磨工作区。
3. 在完成粗磨以后,工作台移动到第二个研磨轴做精磨,在完成精磨后,工作台旋转120度到清洁站。
4. 在清洁站用去离子水和毛刷清洗晶圆,然后下料手取晶圆送到甩干台,在甩干台再次用去离子水和压缩气体清洗。
5. 在甩干台晶圆被清洁后,机械手将晶圆放到片盒里。
6. 在线自动厚度测量,该装置是防水的微电子测量/控制单元,用微加工器来控制测量头,在研磨期间和研磨前测量晶圆厚度,操作界面上显示测量结果,在实际硅片厚度条件下产生控制信号。
7. 操作方法:全自动、半自动、手动。
二、设备特点:
1. 研削加工技术:日本机械学会授予冈本标准传送方式及向下研磨方法技术奖。
2. 机械精度的调整方法:通过主轴进行调整(独有专利),因为可进行原点定位,所以精度调整相当容易;可2处调节。
3. 标准驱动方式:齿轴+定位销进行定位,长年使用也不会发生位移。
4. 标准润滑方式:润滑油及防护罩,防止进入异物造成磨损。
5. 设备刚性:高刚性,不会因老化造成精度变化,部件由冈本自产铸金一体化生产。
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设备指标:
1. 适用晶圆尺寸厚度 晶圆尺寸: 4”、5”、6”、8”
晶圆厚度: 1000μm
2. 研磨方法 向下进给式研磨 在线测量厚度控制
3. 操作方法 全自动、半自动、手动
4. 研磨轴单元 轴的数量 2个(粗磨和精磨)
轴的转速: 0-3600 RPM
轴承: 气悬浮轴承 AB 150R(Carbon graphite)
轴承冷却方式: 气冷(水冷可选)
轴承驱动电机: 2.2KW,4P
轴承行程: 150mm
轴承快速进给: 200mm/min
轴承进给速率: 1999μm/min
轴的进给电机: 200W,交流伺服电机
可装研磨轮: 250mm dia
负载显示: 监控操作面板
研磨轮修整: 半自动
主轴角度调整: 电动主轴角度调整可作为选择项
5. 步进转位工作盘 轴承: 静压轴承(油膜)
驱动电机: 0.4KW,交流伺服电机
6. 工件主轴 轴承: 机械式轴承(可选空压轴承)
驱动电机: 0.75KW,交流伺服电机
7. 真空吸附台 数量: 3个
尺寸: 4-8寸兼容
材质: 多孔陶瓷
转速: 300rpm
修磨速度设定: 0-300rpm
工作台清洗方法: 去离子水和陶瓷环
8. 晶圆清洗方法 去离子水及毛刷清洗 甩干及空气吹干
9. 精度调整方法 通过主轴调整
10. 自动测定设备 晶圆厚度测量系统: 在线式双探针
晶圆厚度显示范围: 999um
晶圆厚度分辨率: 0.1um
11. 晶圆传输系统 片盒数量: 2个
晶圆搬送系统: 1个机器人作为上片手臂及下片手臂
寻址: 机械臂返回晶圆到位置可编程
12. 操作面板 主控制面板: 17寸,显示研削条件,操作输入;显示系统功能条件,监控空气压力,电流,水流量等
分控制面板: 厚度控制显示
13. 设备尺寸及重量 尺寸: 1350 (W) x 2370 (D)* x 1845 (H)
重量: 3900 Kg
14. 真空泵单元 型号: Kashiyama Industry LEM40U-1
功率: 1.5KW
压力: 40 Torr (5.3 x 103 Pa)
排气速度: 40 m3/hour
转速: 3500 rpm
水流量: 5 升/分
15. 工艺指标 片内厚度差(TTV): ≤1.5μm
片间厚度差(WTW) ≤±2μm
粗糙度(Ry): ≤0.13 μm(2000#磨轮)
注:以8寸Si wafer为例,不带保护膜情况
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Packing List
设备配置:
1. 双主轴(粗磨和精磨) 1套
2. 转位工作台 1套
3. 真空吸附台(4-8寸兼容) 3个
4. 在线接触式厚度测量单元 2套
5. 机械手 1套
6. 上片机构 1套
7. 下片机构 1套
8. 双片盒泊位 1套
9. 真空泵单元 1套
10. 触摸屏17寸,windows操作系统,硬盘备份功能,光驱及U盘接口 1套
11. 通信接口,符合SECS/GEM或SMIF通信标准 1套