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CNT高真空CVD系统是一款专业在沉底材料上生长高质量石墨烯、碳纳米管、碳化硅的专用设备，广泛应用于在半导体、纳米材料、碳纤维、碳化硅、镀膜等新材料新工艺领域。
高真空CVD系统主要由高温腔体、石英管、石英支架、气路系统、分子泵机组、自动化控制系统、冷却系统等组成。
1、沉底材料可采用铜箔、石墨等；
2、生长腔体采用进口高纯石英管，配石英支架、为石墨烯等材料的生长提供洁净环境；
3、加热腔体采用进口陶瓷纤维加热器，均温区650mm、对开式结构；
4、密封法兰均采用不锈钢材质，配水冷套，可连续长时间工作；
5、气路系统采用三路质量流量计（可拓展多路）,配预混系统；
6、真空系统采用分子泵机组；
7、控制系统采用10寸触摸屏加西门子PLC模块；
8、可选配RF射频电源模块;
9、气体种类： He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6
10、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制，通过PC实时控制和显示相关的实验参数，自动保存实验参数，也可采用手动控制.
11、系统采用集成化设计，控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部，占地面积小。整体安装四个可移动轮子，方便整体移动。
技术参数：
