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● 用 途:
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活性退火、合金
薄膜生成退火
欧姆电极烧结
● 特 点:
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采用红外测温方式,快速准确测温
加热气氛为真空、气体、流动气体等
可进行高速加热、高速冷却
红外灯管,多温区独立加热,功率可调
可进行大片量Wafer退火工艺
低功耗,高产能
可选配机械手,进行连续式工作
● 技术指标:
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使用温度范围 |
RT-1100℃ |
Wafe尺寸 |
2-6英寸 |
放片量 |
16片 |
升温速率 |
10-150℃/S 可调 |
工艺气体 |
N2 |
气体控制 |
MFC、气动阀 |
真空机组 |
选配、干式机组 |
真空度 |
10-3Pa(10-5Torr) |
温度均匀性 |
±3℃(300-800℃) |
控制 |
工业PC |
载料盘 |
碳化硅 |
报警 |
温度、压力、气体、动作报警等 |
电源 |
三相五线、50HZ、380V |
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