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4001027270
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用 途 |
同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体、半导体光刻. |
| 产品尺寸 |
200mm/8" |
| 表面处理 |
Notch/Flat、SSP单面抛光、E/E双面刻蚀，氧化膜位于抛光片或背面 (具体要求详谈) |
| 生长方式 |
CZ直拉 |
| 厚 度 |
大于700μm (SEMI标准厚度) |
| 掺杂类型 |
P /硼 、N/砷 (具体要求详谈) |
| 晶 向 |
<111>/<100> (具体要求详谈) |
| 电 阻 率 |
0.0001-10000(Ω·cm) (具体要求详谈) |
