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    硅/衬底二硫化钼(MoS2 )

    Applied to the semiconductor industry:

    Materials-Wafer-Sub-硅衬底

    In stock:

    10

    Place of origin:

    National

    Quantity:

    cut back increase

    Price:

    Negotiable
    Transaction guarantee Secured Transactions Online banking to pay

    Consumer Hotline:00864001027270

    Brand:

    Model:

    Own series:Materials-Wafer-Sub-硅衬底


    产品描述
    单层MoS2全面覆盖在SiO2 / Si衬底上。样品尺寸为1cm,整个样品表面含有单层的MoS2片材。合成的单层MoS2是高度发光的,拉曼光谱也证实了其单层特性。相比于全区域覆盖在蓝宝石的MoS2 ,全区域覆盖在SiO2 / Si的MoS2显示出更高PL强度。 
    示例属性
    样品尺寸
    1cm x 1cm正方形
    衬底类型
    热氧化物(SiO2 / Si)衬底
    覆盖
    全覆盖单层
    学性能
    1.85 eV直接带隙半导体
    体结构
    六角相
    原胞参数
    a = b = 0.313nm,c = 1.230nm,α=β= 90°,γ= 120°
    生产方式
    常压化学气相沉积(APCVD)
    表征方法
    拉曼,光致发光,TEM,EDS
    规范
    · 识别。单层MoS2 100%全覆盖,均匀覆盖在SiO2/Si衬底上。
    · 物理尺寸。一厘米大小。可根据要求提供高达2英寸的晶圆尺寸。
    · 平滑度。表面粗糙度<0.2 nm。
    · 均匀性。高度均匀的表面形态。MoS2单层均匀地覆盖SiO2 / Si衬底。
    · 纯度。通过纳米SIMS测量确定纯度99.9995%。
    · 可靠性。可重复拉曼和光致发光响应。
    · 结晶度。高结晶质量,拉曼响应和与单晶单层薄片相当的光致发光。
    · 基质。SiO2 / Si衬底。但我们的研发团队可以将MoS2单层转移到各种基材(包括PET和石英)上,而不会对材料质量造成重大影响。
    · 支持。我们提供全面的技术支持,并保证您对我们对客户服务满意
    · 缺陷分布MoS2单层不含有意的掺杂剂或缺陷。然而,我们的技术人员可以使用轰炸技术产生有缺陷的MoS2

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