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样品尺寸
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1cm x 1cm正方形
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衬底类型
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热氧化物(SiO2 / Si)衬底
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覆盖率
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全覆盖单层
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电学性能
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1.85 eV直接带隙半导体
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晶体结构
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六角相
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原胞参数
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a = b = 0.313nm,c = 1.230nm,α=β= 90°,γ= 120°
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生产方式
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常压化学气相沉积(APCVD)
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表征方法
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拉曼,光致发光,TEM,EDS
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