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4英寸 IC级半导体硅片(Prime/Test grade)
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用 途 |
同步辐射样品载体、PVD/CVD镀膜做衬底、磁控溅射生长样品、XRD、SEM、原子力、红外光谱、荧光光谱等分析测试基底、分子束外延生长的基底、X射线分析晶体、半导体光刻. |
| 产品尺寸 |
100mm/4" |
| 表面处理 | SSP单面抛光、DSP双面抛光、E/E双面刻蚀、Lapping双面研磨、SiO2/EPI/SOI等 (具体要求详谈) |
| 生长方式 | CZ直拉、FZ区熔 (具体要求详谈) |
| 厚 度 | 100-1000μm (具体要求详谈) |
| 掺杂类型 | P /硼 、N/砷、磷、锑 (具体要求详谈) |
| 晶 向 | <111>/<100> (具体要求详谈) |
| 电 阻 率 | 0.0001-10000(Ω·cm) (具体要求详谈) |
