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通信用半导体激光外延片及光探测外延片（10G、25G），应用于光通信宽带网络基础设施建设，提供面向光纤到户、数据中心光互连、移动基站等应用场景的关键光电芯片材料。
| 分类/Category | 应用/Application | 说明/Description |
| InP基半导体光电外延片 InP based epiwafer |
FP laser | ~1310 nm/~1550 nm/~1650 nm/~2000 nm/~2300 nm |
| DFB laser | 1270-1630 nm/~2000 nm/~2300 nm | |
| Avalanche photodiode | 1250-1600 nm | |
| Photodiode | 1250-1600 nm/＞2000 nm (InGaAs absorptive layer) ＜1400 nm (InGaAsP absorptive layer) |
|
| InAs/InP quantum dot laser | 1500-1850 nm | |
| InAs/InP quantum dot SOA | 1500-1850 nm |
