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产品描述
单层MoS2生长在SiO2 / Si衬底上。其中包含在SiO2 / Si衬底上随机分布的单层MoS2三角形薄片。虽然一些区域通过聚结MoS2三角形薄片能获得连续的薄膜，但用于高级光谱，显微和电子测量技术的则是独立的三角形薄片。合成的三角形单层MoS2薄片是高度发光的，拉曼光谱也证实了其单层特性。与生长在蓝宝石衬底上的MoS2三角形相比，该三角形单层MoS2晶体的发光更加明显。
示例属性
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样品尺寸
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1cm x 1cm正方形
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衬底类型
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热氧化物（SiO2 / Si）衬底
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覆盖率
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隔离和部分合并单层三角形
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电学性能
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1.85 eV直接带隙半导体
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晶体结构
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六角相
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原胞参数
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a = b = 0.313nm，c = 1.230nm，α=β= 90°，γ= 120°
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生产方式
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常压化学气相沉积（APCVD）
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表征方法
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拉曼，光致发光，TEM，EDS
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规范
· 识别。转移到SiO2 / Si衬底上的各自分离的MoS2单晶S。
· 物理尺寸。一厘米大小。可根据要求提供高达2英寸的晶圆尺寸。
· 平滑度。表面粗糙度<0.1-0.2nm。
· 均匀性。高度均匀的表面形态。MoS2三角形分散在样品上。
· 纯度。通过纳米SIMS测量确定纯度99.9995％。
· 可靠性。可重复拉曼和光致发光响应。
· 结晶度。高结晶质量，拉曼响应和与单晶单层薄片相当的光致发光。
· 基质。SiO2 / Si衬底，但我们的研发团队可以将MoS2三角形转移到各种衬底上，包括PET和石英，而不会对材料质量造成重大影响。
· 支持。我们提供全面的技术支持，并保证老客户满意。
· 缺陷分布。三角形单层MoS2晶体没有刻意的掺杂剂或缺陷。然而，我们的技术人员可以使用轰炸技术产生有缺陷的MoS2。
