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Current Position: Home » Consumable » Materials » Wafer-Sub » 硅衬底 »单晶硅片 赛维LDK
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    Shipping 关注:63

    单晶硅片 赛维LDK

    Applied to the semiconductor industry：

    Materials-Wafer-Sub-硅衬底

    Product Brand

    赛维

    In stock：

    100

    Place of origin：

    China-江西省

    Quantity：

    cut back increase

    Price：

    Negotiable
    inquiry experts
    Inquiry(No Registered)
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    Consumer Hotline：00864001027270

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    Negotiable

    Brand：赛维

    Model：

    Own series：Materials-Wafer-Sub-硅衬底


    单晶硅片 赛维LDK

    我们於2009年3月开始生产单晶硅片。我们研发出了一系列加工工艺来缩减生产流程中每个环节的生产成本，其中包括提高多晶硅回收利用率、生产尺寸更大的硅锭、增加硅片尺寸、减小硅片厚度、循环利用料浆和增加产能等等。

    赛维LDK太阳能采用最先进的大容量单晶提拉设备，不仅使生产极具成本效益，而且可达到业界最高质量标准。通过严格的检查标准之后，利用钢丝方边刨床对单晶棒进行方形成型处理。然后，利用高精度切割技术，通过钢丝锯（使用钢丝和由碳化硅和乙二醇构成的料浆）将方形硅锭切割成硅片。完成切割后，通过专有清洗工艺来清洗和干燥硅片，并进行检查以确保达到客户严格的特性和表面质量要求。最后，检查硅片质量，封装成箱并发往客户或本公司电池生产厂。

    技术规格

    单晶硅片
    156 mm x 156 mm
    一般特征 参数
     产品  单晶硅片
     晶体生长方法  CZ
     导电类型  P型
     掺杂剂  硼
     电阻率  1-3, 3-6 Ω.cm
     氧含量  ≤ 1 × 10 18 atoms/cm 3
     碳含量  ≤ 1 × 10 17 atoms/cm 3
    结构特征 参数
     宽度  156.0 ± 0.5 mm
     直径  200.0 ± 0.5 mm
     晶向  <100>
     厚度  180 ± 20 μm; 200 ± 20 μm
    机械特性 参数
     总厚度变化  ≤ 40 μm
     弯曲度  ≤ 70 μm
     表面  无微晶结构
     锯痕  ≤ 15 μm
    技术规格

    单晶硅片
    125 mm x 125 mm
    一般特征 参数
     产品  单晶硅片
     晶体生长方法  CZ
     导电类型  P 型
     掺杂剂  硼
     电阻率  1-3, 3-6 Ω.cm
     氧含量  1 × 10 18 atoms/cm 3
     碳含量  1 × 10 17 atoms/cm 3
    结构特征 参数
     宽度  125.0 ± 0.5 mm
     直径  150.0 ± 0.5 mm;
     165.0 ± 0.5 mm; 200 ± 0.5 mm
     晶向  <100>
     厚度  180 ± 20 μm; 200 ± 20 μm
    机械特性 特性
     总厚度变化  ≤ 40 μm
     弯曲度  ≤ 70 μm
     表面  无微晶结构
     锯痕  ≤ 15 μm

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