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Model GNX200B grinder is a fully automatic continuous downfeed grinding machine. Wafers are handled through the machine by a robot, and load/unload arms. Two different stations are used for wafer cleaning after the final grind station. Chuck speed, grinding wheel, and grind spindle downfeed rate speeds can be used to manipulate grinder throughput, surface finish, and wheel life. A two-point in-process gauge measuring system controls wafer thickness under grind spindles 1 and 2. A three-point grind spindle angle adjustment mechanism is utilized for easily maintaining wafer profile (ttv); with the option a motorized adjustment. The main motors are maintenance free AC servomotors. I/O data, grinding conditions, error messages are clearly visible on the GUI touch screen and downloadable through the computer. All computer logs are automatically saved for 30 days. SECS/GEM communication software is also available. In-line coin-stack, polish, or etch system may be directly connected to the GNX200B.
设备特点：
1.研削加工技术：日本机械学会授予冈本标准传送方式及向下研磨方法技术奖。
2.机械精度的调整方法：通过主轴进行调整（独有专利），因为可进行原点定位，所以精度调整相当容易；可2处调节。
3.标准驱动方式：齿轴+定位销进行定位，长年使用也不会发生位移。
4. 标准润滑方式：润滑油及防护罩，防止进入异物造成磨损。
5. 设备刚性：高刚性，不会因老化造成精度变化，部件由冈本自产铸金一体化生产。
设备指标：
1. 晶圆尺寸： 4”、5”、6”、8” 晶圆厚度： 1000μm
2. 研磨方法 向下进给式研磨 在线测量厚度控制
3. 操作方法 全自动、半自动、手动
4. 研磨轴单元 轴的数量 2个（粗磨和精磨）轴的转速： 0-3600 RPM 轴承： 气悬浮轴承 AB 150R（Carbon graphite） 轴承冷却方式： 气冷（水冷可选） 轴承驱动电机： 2.2KW，4P 轴承行程： 150mm 轴承快速进给： 200mm/min 轴承进给速率： 1999μm/min 轴的进给电机：200W，交流伺服电机 可装研磨轮：250mm dia 负载显示：监控操作面板 研磨轮修整：半自动 主轴角度调整：电动主轴角度调整可作为选择项
5. 步进转位工作盘 轴承：静压轴承（油膜） 驱动电机： 0.4KW，交流伺服电机
6. 工件主轴 轴承 机械式轴承（可选空压轴承） 驱动电机： 0.75KW，交流伺服电机
7. 真空吸附台 数量： 3个 尺寸： 4-8寸兼容 材质：多孔陶瓷 转速：300rpm 修磨速度设定： 0-300rpm 工作台清洗方法： 去离子水和陶瓷环
8. 晶圆清洗方法 去离子水及毛刷清洗 甩干及空气吹干
9. 精度调整方法 通过主轴调整
10. 自动测定设备 晶圆厚度测量系统： 在线式双探针
晶圆厚度显示范围： 999um
晶圆厚度分辨率： 0.1um
11. 晶圆传输系统 片盒数量： 2个
晶圆搬送系统： 1个机器人作为上片手臂及下片手臂
寻址： 机械臂返回晶圆到位置可编程
12. 操作面板 主控制面板： 17寸，显示研削条件，操作输入；显示系统功能条件，监控空气压力，电流，水流量等
分控制面板： 厚度控制显示
13. 设备尺寸及重量 尺寸： 1350 (W) x 2370 (D)* x 1845 (H)
重量： 3900 Kg
14. 真空泵单元 型号： Kashiyama Industry LEM40U-1
功率： 1.5KW
压力： 40 Torr (5.3 x 103 Pa)
排气速度： 40 m3/hour
转速： 3500 rpm
水流量： 5 升/分
15. 工艺指标 片内厚度差（TTV）： ≤1.5μm
片间厚度差（WTW） ≤±2μm
粗糙度（Ry）： ≤0.13 μm(2000#磨轮)
注：以8寸Si wafer为例，不带保护膜情况
