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一、PED-120系统的技术指标
- PEBS-20脉冲电子源和电源
- 真空腔：直径12"
- 额定基压：<1x10-6 Torr
- 基片加热器，直径2"，带控温器
- 氧气可达大气压力
- 最高温度：950 °C
- 温度均匀性：±5 °C
- 温度稳定性：±1 °C
- 基片加热器档板
- 靶盒，手动控制
- 可放置6个1"的靶或3个2"的靶
- 靶与法兰的距离：4"
- 气路
- 质量流量计控制进入真空腔的流量，量程100sccm
- 控制采用单通道设置/数值显示
- 真空泵系统
- 260 l/s 带冷阱的涡轮分子泵，高真空泵
- 4 m3/hr无油机械泵
- 8"闸板阀，手动控制
- 排气/出气阀，用于氧气的安全操作
- 真空计，显示读数
- 冷阴极型
- 对流型
- 系统框架
- 占地面积：22”W x 34”D
- 空间： 30”W x 34”D
- 总高度： 54"-58"
- 标准19"电子元件安装架
- 脚轮和水平调节器
- 电源:110-240 VAC/50 Hz, 20 A，单相
技术指标：
电压：115-230 VAC, 50/60 Hz, 单相
氧气压力：5-20 mTorr
电子能量：8-20 kV
单次脉冲能量：0.1 – 0.8 J
脉冲能量偏差（Max）：±10%
能量转换效率：25-30%
脉冲持续时间：~100 ns
脉冲重复速率（Max）：15 Hz
电子束斑面积（Min）：6 x 10-2 cm2
电子束斑面积偏差（Max）：±20%
脉冲能量密度（Max）：1.3 x 108 W/ cm2
Z轴移动距离：50 mm
XY轴移动距离：±20 mm
工作寿命：107 次脉冲
PEBS源的工作温度（Max）：85 °C
脉冲电子束沉积（PED）的特点：
与CW技术相比，例如传统的电子束蒸发，脉冲系统的主要特点是可以在靶材表面上产生最高达108W/cm2的高能量密度。因此，靶材的热动力学特性比如熔点和比热等在蒸发过程中就变得不重要了。这一点对复杂的、多组分材料特别具有优势。与脉冲激光沉积（PLD）相比，脉冲电子束沉积（PED）技术提供了独一无二的平台，在一系列具有重要技术价值的基片上沉积复杂材料的薄膜，其独特的优点在于扩展了材料的范围和应用。这种方法在大批量生产中可以大规模应用且成本低廉。
