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Low damage for nano structuring 纳米结构低损伤刻蚀
由于等离子的能量分布低，从而能实现低损伤刻蚀和纳米结构刻蚀。
Simple high rate etching 简单高速率刻蚀
MEMS制造工艺中，Si材料光滑侧壁的高速高选择比刻蚀，可以很容易的通过室温或低温工艺实现。
Inhouse ICP plasma source 内置ICP等离子源
平板三螺旋天线（PTSA）等离子源是SENTECH独有的高端等离子工艺系统。PTSA能产生高密度低能量分布的等离子体。在多种材料刻蚀工艺中都能实现高效率耦合及稳定起辉
Dynamic temperature control 动态温控
衬底温度设定和工艺过程中的稳定性是影响刻蚀工艺质量的重要因素。ICP衬底电极结合背面氦气冷却和温度传感器进行动态温控，工艺温度范围为-150 °C 至 +400 °C。
SI500代表着研发和生产领域ICP工艺的领先水平。它具有 基于动态温控背电极、平板三螺旋天线等离子源和全自动控制的真空系统，SENTECH控制软件应用远程控制总线技术的以及友好的用户界面。SI500可以进行最大200mm的晶圆片刻蚀。单片真空装片装置保证了工艺稳定性，同时保证工艺可以灵活切换。
SI500刻蚀机可以实现多种材料的刻蚀，包括III-V族化合物半导体，电介质，石英，玻璃，硅、硅化物和金属。
SENTECH面向高灵活性和高产能的刻蚀和沉积系统提供各种级别的自动化装置，从预真空系统到最大6端口的多工艺腔室装置。SI500可以作为多腔室工艺模块。
型号：SI500
ICP plasma etcher
With vacuum loadlock
For up to 200 mm wafers
Substrate temperature from -20 °C to 300 °C
型号：SI500C
Cryogenic ICP plasma etcher
With transfer chamber and vacuum loadlock
Substrate temperature from -150 °C to 400 °C
型号：SI500-RIE
RIE plasma etcher
Smart solution for He backside cooled etching
Capacitive coupled plasma source,
upgradable to ICP plasma source PTSA 200
型号：SI500-300
ICP plasma etcher
With vacuum loadlock
For 300 mm wafers
