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中微自主研发的300毫米甚高频去耦合反应离子刻蚀设备可以用于加工64/45/28纳米氧化硅(SiO),氮化硅(SiN)及低介电系数(low K)膜层等不同电介质材料。
高生产率、高性能的小批量多反应器系统可以灵活地装置多达三个双反应台反应器,以达到最佳芯片加工输出量。每个反应器都可以实现单芯片或双芯片加工。该设备具有独特的专利创新技术,包括甚高频和低频混合射频去耦合反应离子刻蚀的等离子体源,等离子隔离环及碳化硅喷淋头设计等。
系统特点及技术优势
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