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中微的8英寸硅通孔（TSV）刻蚀设备Primo TSV200E™结构紧凑且具有极高的生产率，可应用于8英寸晶圆微电子器件、微机电系统、微电光器件等的封装。继中微第一代和第二代甚高频去耦合等离子体刻蚀设备Primo D-RIE™ 和Primo AD-RIE™之后，中微TSV刻蚀设备的单位投资产出率比市场上其他同类设备提高了30%。
CMOS图像传感器、发光二极管、微机电系统以及其他许多装置都离不开微小的系统级芯片（SoC），而3D IC技术则是实现系统级芯片的必要条件。随着半导体关键尺寸日益缩小，采用新的堆叠处理方法势在必行。先进芯片变得日益复杂，就要求必须在能耗和性能之间寻求平衡。通过芯片的堆叠，连接线比传统的键合线更短，这就提高了封装密度，加快了数据传输和处理速度，并降低了能耗，所有这些在更小的单元中就可以实现。
Primo TSV200E的核心在于它拥有双反应台的反应器，既可以单独加工单个晶圆片，又可以同时加工两个晶圆片。中微的这一TSV刻蚀设备可安装多达三个双反应台的反应器。与同类竞争产品仅有单个反应台的设备相比，中微TSV刻蚀设备的这一特点使晶圆片产出量近乎翻了一番，同时又降低了加工成本。此外，该设备具有的去耦合高密度等离子体源和偏置电压使它在低压状态下提高了刻蚀速率，并能够在整个工艺窗口中实现更高的灵活度。中微具有自主知识产权的气体分布系统设计也提高了刻蚀速率和刻蚀的均匀性，并在整个加工过程中优化了工艺性能，射频脉冲偏置则有效减少了轮廓凹槽。
