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此设备用于2"-6"硅片淀积SiO2, Si3N4等工艺。
设备除装卸片方式为手动外,控制微机对工艺过程及全部参数自动控制
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结构形式:平板型
反应室极限真空度:<0.67Pa
工艺压强范围:13-266Pa
淀积温度:200-450
温度精度:+-2
RF电源:13.56MHZ
膜厚均匀性:片内、片间、批间《+-3%
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Packing List
此设备用于2"-6"硅片淀积SiO2, Si3N4等工艺。
设备除装卸片方式为手动外,控制微机对工艺过程及全部参数自动控制
after-sale warranty
质保一年,24小时到现场维修。