Website Homepage
Shopping cart
User center
Product Category
Prompt message
inquiry experts experts
Service Hotline
4001027270
LHQ-200型PECVD淀积系统 Leuven鲁汶仪器（中国北京）
产品展示 》薄膜镀膜
LHQ-200A型PECVD淀积系统
系统简介
l具有平行板电极结构，可进行8英寸片薄膜生长的单腔室设备。
l能淀积SiO2,SiN以及本征α-Si等薄膜。
l适用于半导体器件和IC制备中钝化膜的淀积。
l采用带触摸屏的集成工控机自动控制工艺流程，可靠性高，工艺重复性好，经久耐用。
l用户可自设定和记录多种实验程序，操作简单、效率高。
l可广泛地用于微电子、光电子、太阳电池、半导体器件和传感器等领域。
机器性能
1、可以在200℃~300℃下淀积SiN、SiO2和不掺杂的非晶硅等薄膜；
2、均匀性：≤±5%；
3、淀积速率： SiO2≥30nm/min (采用Ar稀释的5%安全浓度的SiH4)。
标准配置
1、阳极氧化铝反应腔室；
2、载片台（下电极）可放最大样片尺寸：8"圆片或152mm×152mm的方片。样片温度在200~350℃可调；
3、5路进气，5个数字式质量流量计控制流量，可定制增减；
4、射频电源，带自动匹配器；
5、分子泵机组抽本底真空，机械泵抽淀积时的反应气体；
6、工艺过程由带触摸屏的集成工控计算机控制。工艺条件可预设定；
7、有严格的捡漏、互锁、报警和强排风等防毒、防爆的安全措施。
