PECVD 等离子体增强化学气相沉积设备 Oxford_PECVD_PVD_Processing Equipment_Equipment

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System 100 -等离子刻蚀与沉积设备

该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。
具有最大的工艺灵活性，适用于化合物半导体，光电子学，光子学，微机电系统和微流体技术， PlasmalabSystem100可以有很多的配置，详情如下。

主要特点
可处理8 "晶片，也具有小批量（6 × 2"）预制和试生产的能力选择单晶片/批处理或盒式进样，采用真空进样室。该PlasmalabSystem100可以集成到一个集群系统中，采用中央机械手传送晶片，生产工艺中采用全片盒到片盒晶片传送. 采用一系列的电极进行衬底温度控制，其温度范围为-150 ° C至700° C
用于终端检测的激光干涉和/或光发射谱可安装在Plasmalab System100以加强刻蚀控制
选的6 或12路气箱为工艺流程和工艺气体提供了选择上的灵活性，并可以放置在远端，远离主要工艺设备

工艺
一些使用Plasmalab System100等离子刻蚀与沉积设备的例子：
低温硅刻蚀，深硅刻蚀和SOI工艺，应用于MEMS ，微流体技术和光子技术
用于激光器端面的III - V族刻蚀工艺，通过刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用，材料范围广泛（InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等）
GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺，比如HBLED和其它功率器件的刻蚀高品质，高速率SiO2沉积，应用于光子器件金属（Nb, W）刻蚀

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2018等离子技术应用研讨会—西安站

地点:: 中国
日期:: 2018年11月7日
主要业务:: 等离子技术

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欢迎各位参加本次由牛津仪器主办的“2018等离子技术应用研讨会—西安站”。本次活动我们将邀请国内外的技术专家为大家呈现行业最前沿的信息与应用实例，同时针对一些应用中存在的问题进行阐述并给出一些合理化的建议。欢迎各位莅临交流互动！

时间： 2018年11月7日
地点：西安天骊君廷大酒店·少华厅（西安市雁塔区太白南路198号）

如想报名参加，请留下您的联系方式，我们将会为您邮件发送最新日程

或者拨打热线电话咨询：010-57168280