SB-402双面曝光机_UV光刻机_Lithography_Processing Equipment_Equipment

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SB-402双面曝光机（光刻机）主要用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统（MEMS）等制作的双面对准和曝光。最大兼容4英寸晶圆。

主要技术特点

对准工作台：
高精度薄型精密双层三维对准工作台，采用交叉滚柱V形导轨副和θ向超薄轴承及中心滑块结构，保证了工作台的直线性和旋转精度。
机械手机构：
机械手采用直线导轨和滚珠丝杠结构，具有高的定位精度和重复精度。
上版架系统：
上掩模版的升降导轨选用THK可调分离型直线导轨，驱动采用高分辨率的数显微分头，从而保证两掩模版的重复精度和定位精度。
对准观察系统:
双光路结构的卧式分离视场显微镜，可以获取高清晰的图像同时兼容CCD成像液晶显示功能
电气控制系统：
整机采用PLC+触摸屏控制，提供运行状态显示及多种检测功能，易于操作，控制精度高，性能稳定。
曝光系统：
上、下两套独立的紫外光曝光系统，采用先进的结构方案，具有较高的光强、均匀性、光学分辨率。

详细参数：
□对准工作台指标:
X向行程：±4mm
Y向行程：±4mm
旋转角θ向：±5°
基片尺寸：Maxφ4″
掩模尺寸：Max5″×5″
双面对准精度：±0.003mm
□机械手机构指标；
机械手对下掩模分离间隙：0～100μm（当量1μm）
□曝光系统指标；
光源：250W超高压汞灯
波长：UV365
最大曝光面积；φ110mm
曝光不均匀性：±3%
曝光分辨率：3μm（正胶）
汞灯冷却：风冷
曝光时间：0～999s 档量1s
□分离视场显微镜指标：
总倍率： 65X
视场：φ3.3mm
物镜分离距离：26～70mm
□所需设施：
输入电压：～220V±22V（50HZ）
整机功率：1.5KW
室内光线: 红色、黄色
氮气（N2）:0.2～0.4MPa
压缩空气:0.5～0.7MPa
真空 :－0.08～－0.1mPa
□体积及重量：
重量： 480㎏
外形尺寸:950㎜×850㎜×1500㎜