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本机是制造中、大规模集成电路,传感器,表面波元件,磁泡,微波和CCD等器件的重要光刻设备。
1、适用的掩模尺寸: | |
(1)100*100*2-3mm (2)75*75*2-3mm (3)63*63*2-3(选购) | |
2、适用的硅片尺寸: | ф35-ф75mm |
3、光刻图形线条: | 3~4чm,最细可达2чm |
4、掩模与硅片之间的相对位移范围: | X/Y±2.5mm,(旋转)±6° |
5、承片台(硅片)绕主轴旋转: | 粗调360度,可微调 |
6、承片工作台综合移动范围: | X,Y合成ф75mm |
7、承片台的球座平面至掩模板面升降: | 0-7.5mm |
8、曝光灯源:GCQ200W超高压汞灯,曝光波长: | 300-436nm |
9、曝光系统能量不低于: | 7mw |
10、曝光系统的照度均匀度在φ75mm范围内: | ±5% |
11、显微镜的照明波长: | ≈545nm |
12、曝光时间控制范围: | 0.1秒~99分 |
13、双目显微镜的放大倍数: | |
(1)目镜共二种:10X,16X (2)平视场物镜共三种:6X,9X,15X (3)合成放大倍率:60X-240X | |
14、真空接触压力: | ≥0.7kgf |
15、装箱尺寸: | 1000*850*980mm(2只) |
16、装箱重量: | 200kg |
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