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    美国ABM正面对准光刻机 怡和瑞丰

    Applied to the semiconductor industry:

    Processing Equipment-Lithography-UV光刻机

    Product brand

    怡和瑞丰

    Specification model:

    ABM/6/350/NUV/DCCD/M

    In stock:

    100

    Place of origin:

    United States

    Quantity:

    cut back increase

    price:

    10000.00
    Transaction guarantee Secured Transactions Online banking to pay

    consumer hotline:00864001027270

    Brand:怡和瑞丰

    model:ABM/6/350/NUV/DCCD/M

    Own series:Processing Equipment-Lithography-UV光刻机

    美国ABM正面对准光刻机 怡和瑞丰 设备商城



                            设备型号ABM/6/350/NUV/DCCD/M


    光学系统:

       曝光时间调解器:0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)
       365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环;
       声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标;
       有安全保护装置的温度及其气流传感器;
       全景准直透镜光线偏差半角: <1.84度;
       波长滤片检查及安装装置
       抗衍射反射功能高效反光镜;
       二向色的防热透镜装置;
       防汞灯泄漏装置;
       配备蝇眼棱镜装置
       配备近紫外光源,
        --220 nm 输出强度 – 大约 8-10 mW/ cm2
        --254 nm 输出强度 – 大约 12-14 mW/ cm2
        --365 nm 输出强度 – 大约 18-20 mW/ cm2
        --400 nm 输出强度 – 大约 30-35 mW/ cm2

    主要配置:

     
      6“,8”光源系统 
       可支持2“,3”,4“,6”,8“(圆/方片)及碎片光刻(支持特殊工艺卡盘设计)
       手动系统,半自动系统,
       支持电源350-2000 Watt
       支持深紫外近紫外波长(可选项)
          CCD或显微镜对准系统

     


    主要性能指标:

       光强均匀性Beam Uniformity::
        --<±1% over 2” 区域
        --<±2% over 4” 区域
        --<±3% over 6” 区域
       接触式样曝光特征尺寸CD(深紫外DUV):0.35 um
       接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV):  0.5  um
       支持接近式曝光,特征尺寸CD:
        --0.8um  硬接触
        --1um    20 um 间距时
        --2um    50um 间距时
       正面对准精度±0.5um
      
    支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻,特征尺寸:100um-300um
       支持LED优异电流控制技术PSS工艺光刻
       支持真空、接近式、接触式曝光
       支持恒定光强或恒定功率模式

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