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    JKG-2B型 双面光刻机 上海学泽光学机械有限公司

    Applied to the semiconductor industry:

    Processing Equipment-Lithography-双面光刻机

    Product brand

    劳动牌

    In stock:

    100

    Place of origin:

    China-上海市

    Quantity:

    cut back increase

    price:

    Negotiable
    Transaction guarantee Secured Transactions Online banking to pay

    consumer hotline:00864001027270

    Brand:劳动牌

    model:

    Own series:Processing Equipment-Lithography-双面光刻机

    JKG-2B型 双面光刻机 上海学泽光学机械有限公司 设备商城

     
     

    本机是专为生产中、大规模集成电路、CCD、表面波、磁泡、微波等器件的光刻需要而设计制造的。它可以将两块掩模上的各种图案经紫外光束的曝光,从上下两面分别或同时转印至硅片或其它基片的正反面上,再经其它工序的处理,从而获得完整的微电子器件。

    本机为适应各电子器件厂对JKG-2A型光刻机的使用习惯,故保留了JKG-2A型光刻机部分操作程序,尤其是为了提高光刻的质量,本机的结构、精度以及性能等方面作了大幅度的改进。为减少使用者的疲劳,显微镜采用双目观察和平视场物镜,成像清晰,景深较长。由于本机具有上述种种特点,是成批生产微电子器件较为适合的光刻设备。

    主要技术参数

    1、适用的掩模尺寸: 100*100*2~3mm或75*75*2~3mm
    2、适用的基片幅面尺寸: ф50或ф75mm
    3、曝光分辨率: 3~4чm
    4、掩模与硅片之间的相对位移范围: X、Y各≥±2.5mm; θ(旋转)≥±5°
    5、工作台综合移动范围: X±37.5mm、Y±20mm
    6、曝光系统: GCQ200W超高压球形汞灯,曝光波长:300~436nm
    7、曝光系统能量不低于: 波长407nm; 7mW/cm2
    8、曝光系统的照明不均匀性在ф75mm范围内 ±5%
    9、显微镜的照明波长 ≈545nm
    10、曝光时间控制范围: 0.01秒~99.99分
    11、双目显微镜的调焦范围: 13mm
    12、双目显微镜的放大倍率: a.成对目镜,共两种:10*、16*; b.平视场物镜,共两种:6*、9*;
    c.总合成放大倍率:60*~144*
    13、真空接触压力: ≥0.7kgf
    14、供电电源: a.频率:50HZ(Z频);b.额定输入电压:190V~230V;c.功率消耗:≤300VA
    15、外形尺寸: 800*1440*650mm
    16、重量: ≈80kg

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