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| 产品名称： | PECVD系统（三温区） | |
| 产品简介： |
CNT等离子体增强沉积炉是专业生长高质量石墨烯、碳纳米管、二维硫化钼的专用设备，也可用用于碳化硅、金属薄膜、陶瓷薄膜其他材料的生长，已经广泛应用于航空航天、微电子、生物医药、纳米材料等领域。 等离子体增强沉积炉主要由预热炉（用于气体预热、固体原料蒸发）、等离子射频发生器、高温生长腔体、石英管、石英支架、气路系统、真空系统、自动化控制系统、冷却系统等组成。 1、预热炉可以给进入真空腔体的气体或材料提前预热、固体原料蒸发，预热温度范围室温～800℃（可根据工艺的实际需要进行调整）； 2、等离子射频发生器,输出功率5 -500W可调，频率：13.56 MH 3、生长腔体采用进口高纯石英管，配石英支架， 4、加热腔体采用进口陶瓷纤维加热器，均温区600mm、对开式结构； 5、加热炉体配有移动滑轨，可左右移动； 6、密封法兰均采用不锈钢材质，配水冷套，可连续长时间工作； 7、气路系统采用多路质量流量计,配预混系统； 8、真空系统采用机械泵，可选配扩散泵或分子泵机组； 9、控制系统采用10寸触摸屏加西门子PLC模块； 10、气体种类：N2、H2、CH4、C2H4D、He/Ar、C2H2、NH3、N2, H2、PH3、GeH4、B2H6等 11、温度、气体、真空、冷却水等通过PLC控制，通过PC实时控制和显示相关的实验参数，自动保存实验参数，也可采用手动控制; 12、系统采用集成化设计，控制系统、混气罐、质量流量计等均内置在箱体内部，占地面积小。整体安装四个可移动轮子，方便整体移动。 |
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| 技术参数： | ||
