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    原子层沉积 ALD R-200 Advanced 北京正通远恒科技有限公司

    Applied to the semiconductor industry:

    Processing Equipment-PVD-原子层沉积ALD

    Product brand

    Picosun

    In stock:

    1000

    Place of origin:

    China-北京市

    Quantity:

    cut back increase

    price:

    Negotiable
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    ¥10000.00

    Concerned Products

    Brand:Picosun

    model:

    Own series:Processing Equipment-PVD-原子层沉积ALD

     PICOSUN™ R系列ALD产品能够沉积高质量薄膜,即使衬底结构十分复杂,如多孔材料、高深宽比的沟槽或者纳米颗粒, 沉积的薄膜均匀性也极其优异。Picosun功能强大、易更换的固、液、气态前驱体输运系统确保可以在硅平面基片,3D复杂基片及所有纳米尺度的特征器件上制备无颗粒的薄膜。PICOSUN™ R系列沉积系统独特的扩展性使得科研成果很容易向生产型的PICOSUN™ P系列平稳转换。
    技术参数
    衬底尺寸和类型50 – 200 mm /单片
    最大可沉积直径150 mm基片,竖直放置,10-25片/批次(根据工艺)
    特殊选项:最大200 mm,竖直放置,5-15片每批(根据工艺)
    156 mm x 156 mm 太阳能硅片
    3D 复杂表面衬底
    粉末与颗粒
    Roll-to-roll, 衬底最大宽 70 mm
    多孔,通孔,高深宽比(HAR)样品
    工艺温度
    50 –500 °C, 可选更高温度
    基片传送选件
    气动升降(手动装载)
    预真空室安装磁力操作机械手(Load lock )
    半自动的机械装载
    集群系统的批量装载(Cassette-to-cassette )
    前驱体
    液态、固态、气态、臭氧源、等离子体
    12根独立源管线,最多加载6个前驱体源
    重量
    350 + 200 kg
    尺寸 (W x H x D)
    取决于选件
    最小 146 cm x 146 cm x 84 cm
    最大 189 cm x 206 cm x 111 cm
    选件
    集群工具,PICOFLOW™ 扩散增强器,集成椭偏仪,QCM,RGA,超高真空兼容,N2发生
    器,尾气处理器,定制设计,手套箱集成(用于惰性气体下装载)。
    验收标准
    标准设备验收标准为 Al2O3 工艺
     

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